[发明专利]控制电路在审
| 申请号： | 202010098557.9 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN113345881A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李建兴;黄晔仁;林文新;邱俊榕;邱华琦 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/778;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种控制电路，应用于一特定器件中，特定器件具有三五族半导体材料，并包括一控制电极、一第一电极以及一第二电极，控制电路包括一第一晶体管以及一静电放电保护电路，第一晶体管耦接于第一及第二电极之间，并具有三五族半导体材料，静电放电保护电路耦接控制电极、第一晶体管及第二电极，当一静电放电事件发生时，静电放电保护电路提供一放电路径，用以将一静电放电电流由控制电极释放至第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 控制电路 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
