[发明专利]一种耗尽DMOS与ASIC芯片集成封装的封装结构在审
| 申请号： | 202010077890.1 | 申请日： | 2020-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN111081686A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 何伟业;胡建权 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯域联合半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/04;H01L23/13 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耗尽DMOS与ASIC芯片集成封装的封装结构，包括基板、第一芯片与第二芯片，所述基板上设有置物槽，所述第一芯片设于置物槽，所述第二芯片设于第一芯片远离置物槽的一侧，所述第一芯片终端处固定连接有第一凸块，所述基板的一侧设有与第一凸块对应的开口，所述基板的两侧均设有滑槽，所述第二芯片靠近第一芯片的两端均设有与滑槽对应的第二凸块，所述第二凸块插设在滑槽内，所述基板的一侧设有与第一凸块对应的第二开口，本发明结构简单，封装方便、造价成本较低，且封装后的稳定性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耗尽 dmos asic 芯片 集成 封装 结构 | ||
【主权项】：
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