[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 202010076601.6 | 申请日： | 2020-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN111509996B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | D·多梅斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，其包括：在第一端子(DC+)和第二端子(AC)之间并联电耦合的至少两个第一类型的开关器件(HSn)；以及在第二端子(AC)和第三端子(DC‑)之间并联电耦合的至少两个第二类型的开关器件(LSm)。第一类型的开关器件(HSn)和第二类型的开关器件(LSm)布置在功率半导体模块中，功率半导体模块包括第一纵向侧和第二纵向侧(L1，L2)以及第一窄侧和第二窄侧(B1，B2)。第一类型的开关器件(HSn)和第二类型的开关器件(LSm)在平行于第一纵向侧和第二纵向侧(L1，L2)的第一水平方向(x)上延伸的至少一行中彼此靠近布置，使得在至少一行中的每行内，不超过两个相同类型的开关器件被直接连续布置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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