[发明专利]一种硅基激光器及其制备、解理方法有效
| 申请号： | 202010062567.7 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111262125B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;林家杰;游天桂;金婷婷;沈正皓 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种硅基激光器及其制备、解理方法，该解理方法通过获取硅衬底；将硅衬底的顶面沿第一方向刻蚀出多个第一脊条，得到刻蚀后的硅衬底；在硅衬底上形成Ⅲ‑Ⅴ族薄膜层；在Ⅲ‑Ⅴ族薄膜层外延生长形成激光器层；将激光器层的顶面沿第二方向刻蚀出多个第二脊条，得到硅基激光器；第二方向与第一方向互相垂直；将硅基激光器沿第二方向进行分割，得到多个硅基激光器长条。对于多个硅基激光器长条的每个硅基激光器长条：由于相邻的第一脊条之间有沟槽，硅衬底在沟槽底部较薄，因此在多个第一脊条中相邻的两个第一脊条之间施加外力，使得硅基激光器长条沿第一方向自然解理，如此，可以获得平整的激光器腔面，可以提高硅基激光器的解理效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光器 及其 制备 解理 方法 | ||
【主权项】：
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