[发明专利]基于CMOS图像传感的光栅波导微流体芯片的制造方法

摘要

本发明提供一种基于CMOS图像传感的光栅波导微流体芯片的制造方法，包括提供CMOS图像传感层，在CMOS图像传感层上形成厚度为15～30μm高分子聚合材料的下包层；在25‑150℃沉积温度下在下包层上沉积形成氮化硅材料的波导层；以波导层形成光栅波导，光栅波导包括出射光栅；在保护层上形成厚度为15～30μm的上包层；形成微流道，微流道贯穿上包层以暴露出保护层；出射光栅位于微流道下方用以将光沿垂直方向向上导入微流道内。具有有益效果：在CMOS图像传感层和高分子聚合材料上低温沉积光学性能可调的氮化硅光波导，不破坏CMOS图像传感层，减少了实验中对收集光路调整等准备工作，提高了实验效率；提高了检测系统的便携性，大大增加了系统的应用场景。