[发明专利]QLED器件、空穴传输材料及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 202010047324.6 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN113130796B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 冯靖雯 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 陈蕾 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种QLED器件、空穴传输材料及其制作方法、显示装置，空穴传输材料包括：异质多聚体，异质多聚体为至少包括第一金属化合物与第二金属化合物的单一纳米颗粒，第一金属化合物与第二金属化合物通过共价键或范德华力连接，第一金属化合物与第二金属化合物的价带能级不同。根据本发明的实施例，利用单一纳米颗粒的价带位置差异构建多能级梯度，使得空穴在跃迁时，可先跃迁到低能级，在低能级缓冲后再跃迁到高能级。相对于空穴需直接跃迁到高能级的空穴传输材料，可降低空穴注入势垒，提高空穴注入能力，进一步提升电子空穴平衡，从而提高QLED器件的发光效率和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | qled 器件 空穴 传输 材料 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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