[发明专利]一种低失调电压高电源抑制比的带隙基准电路有效
| 申请号： | 202010039813.7 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111045470B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 来新泉;陈廷奇;孙昂勃;蔚道嘉;刘晨;胡枭 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 侯琼 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低失调电压高电源抑制比的带隙基准电路，该带隙基准电路包括电压调制单元(1)、带隙核心单元(2)和运算放大器单元(3)；电压调制单元屏蔽电源VDD上的噪声，产生调制电压VREF为带隙核心单元和运算放大器单元供电，提高电源抑制比；带隙核心单元产生零温度系数的带隙基准电压VBG；运算放大器单元保证第一钳位电压VA与第二钳位电压VB相等，输出反馈电压VF到带隙核心单元构成反馈环路，保证带隙基准电压VBG的稳定。本发明采用电压调制单元，有效提高电源抑制比；运算放大器单元失调电压小，提高了带隙基准电压的精度。本发明具有低失调电压、高电源抑制比的特点，可用于模拟集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 失调 电压 电源 抑制 基准 电路 | ||
【主权项】：
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