[发明专利]X/Y应力独立电阻器的跟踪温度补偿在审
申请号: | 202010024101.8 | 申请日: | 2020-01-10 |
公开(公告)号: | CN111435657A | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | M·石泽龙;J·R·托德;T·B·弗利兹;R·P·布里德劳 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08;G01L1/16;G01L1/18;G01R31/28 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 袁策 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开X/Y应力独立电阻器的跟踪温度补偿。集成电路(500)包括具有表面的半导体衬底(570)。横向电阻器布置在平行于衬底的表面的第一平面中。竖直参考电阻器包括层(560),该层(560)布置在平行于衬底的表面并且比第一平面深的第二平面中。掺杂该层以促进电流在第二平面中流动。竖直参考电阻器还包括耦合在该层和衬底的表面之间的第一沟槽(550A)和第二沟槽(550B)。第一沟槽和第二沟槽布置在正交于第一平面和第二平面的竖直方向上,并且被掺杂以阻碍电流在竖直方向上流动。第一沟槽和第二沟槽的横截面绕竖直方向是双重旋转对称的,并且横向电阻器以及第一沟槽和第二沟槽具有相同的温度系数。 | ||
搜索关键词: | 应力 独立 电阻器 跟踪 温度 补偿 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德克萨斯仪器股份有限公司,未经德克萨斯仪器股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010024101.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的