[发明专利]X/Y应力独立电阻器的跟踪温度补偿

权利要求书

1.一种集成电路即IC，包括：

具有表面的半导体衬底；以及

参考电阻器，包括：

第一导电类型的第一区域，其形成在所述衬底中，其中所述第一区域在平行于所述表面的横向方向上延伸；

第二导电类型的第二区域，其形成在所述衬底中并耦合到所述第一区域，其中所述第二区域在垂直于所述表面的竖直方向上延伸，并且其中所述第二导电类型被配置为阻碍电流在所述竖直方向上流动；

所述第二导电类型的第三区域，其形成在所述衬底中并耦合到所述第一区域，其中所述第三区域在所述竖直方向上延伸；

第一接触结构，其耦合到所述第二区域和所述表面；以及

第二接触结构，其耦合到所述第三区域和所述表面，其中所述参考电阻器绕所述竖直方向是双重旋转对称的。

2.根据权利要求1所述的IC，其中所述第二区域的内侧和所述第一接触结构通过隔离结构与所述第三区域的外侧和所述第二接触结构分开。

3.根据权利要求1所述的IC，其中所述第三区域和所述第二接触结构的横截面是针孔形的。

4.根据权利要求1所述的IC，其中所述第二导电类型是n掺杂的。

5.根据权利要求1所述的IC，其中所述IC包括第二电阻器，并且其中所述第二导电类型具有与所述第二电阻器的导电类型相同的温度系数。

6.根据权利要求5所述的IC，其中所述第二电阻器的导电类型是所述第二导电类型。

7.根据权利要求1所述的IC，其中所述半导体衬底是p型硅衬底。

8.一种集成电路即IC，包括：

具有表面的半导体衬底；

布置在平行于所述表面的第一平面中的横向电阻器；以及

竖直参考电阻器，包括：

布置在平行于所述表面并且比所述第一平面深的第二平面中的层，所述层具有被配置为促进电流在所述第二平面中流动的掺杂，以及

第一沟槽和第二沟槽，其耦合在所述层和所述表面之间并且布置在正交于所述第一平面和所述第二平面的竖直方向上，所述第一沟槽和所述第二沟槽具有被配置为阻碍电流在所述竖直方向上流动的掺杂，

其中所述第一沟槽和所述第二沟槽的横截面绕所述竖直方向是双重旋转对称的，并且其中所述第一沟槽和所述第二沟槽与所述横向电阻器具有相同的温度系数。

9.根据权利要求8所述的IC，其中所述第一沟槽的内侧通过隔离结构与所述第二沟槽的外侧分开。

10.根据权利要求8所述的IC，其中所述第二沟槽的横截面是针孔形的。

11.根据权利要求8所述的IC，其中所述第一沟槽和所述第二沟槽是侧壁掺杂的。

12.根据权利要求8所述的IC，其中所述第一沟槽和所述第二沟槽是n掺杂的。

13.根据权利要求8所述的IC，其中所述横向电阻器的横截面是L形的，所述横向电阻器包括：

第一元件；以及

第二元件，其与所述第一元件串联耦合，其中所述第二元件被配置为使得电流流过所述第二元件的方向正交于电流流过所述第一元件的方向。

14.根据权利要求8所述的IC，其中所述半导体衬底是p型硅衬底。

15.根据权利要求8所述的IC，其进一步包括：

第一电流源，其耦合到所述横向电阻器；

第二电流源，其耦合到所述竖直参考电阻器；以及

放大器，其耦合到所述横向电阻器和所述竖直参考电阻器，所述放大器具有用于提供电压差信号的输出。