[发明专利]一种铬硅合金溅射靶材及其制备方法在审
| 申请号： | 202010002184.0 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111058004A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;马国成 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/093;B22F3/15;B22F9/08;B22F9/10 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铬硅合金溅射靶材及其制备方法。所述制备方法包括：(1)将具有目标质量比例的铬硅合金粉末装入模具并封口，进行振实处理；(2)将步骤(1)振实后的模具进行脱气处理；(3)将步骤(2)脱气后的模具在1000‑1350℃下进行热等静压处理，得到铬硅合金溅射靶材粗品；(4)机加工后得到铬硅合金溅射靶材。所述制备方法不仅工艺简单，只需进行一次装模处理，降低产品被氧化的风险，保证产品纯度，还可以提高产品加工效率，便于大规模量产，而且具有能耗较低、成本较低的优点。由所述制备方法得到的铬硅合金溅射靶材具有致密度＞99％、含氧量＜0.05％的特点，为后续溅射使用提供更优良的性能保障。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 溅射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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