[发明专利]磷酸根阴离子-季铵离子对配位的聚合物膜在审
申请号: | 201980077678.0 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN113366680A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | C·柏;D·田 | 申请(专利权)人: | 伦斯勒理工学院 |
主分类号: | H01M8/1023 | 分类号: | H01M8/1023;H01M8/1039;C08J5/22 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 宁家成 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开的离子交换膜材料在低和中等相对湿度下表现出改善的电导率而不牺牲机械强度。提供了聚合物,其包括具有一个或多个芳基的主链、卤代烃基和连接至所述主链的卤代烃基侧链,其中所述卤代烃基侧链包括通过烃基链、烃基环或它们的组合与所述主链隔开的卤素。用叔胺取代卤素,然后用氢氧根阴离子交换卤素阴离子。然后使所述聚合物与磷酸接触,所述磷酸被氢氧根离子去质子化而形成阴离子,其提高了与相邻季铵基团的相互作用并诱导过量的磷酸分子聚集在这些季铵基团周围。所述膜即使在高相对湿度下也表现出可忽略不计的掺杂剂浸出。 | ||
搜索关键词: | 磷酸 阴离子 离子对 聚合物 | ||
【主权项】:
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