[发明专利]气相生长装置在审
| 申请号： | 201980055815.0 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN112640045A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 醍醐佳明;矢岛雅美;铃木邦彦;石黑晓夫 | 申请（专利权）人： | 纽富来科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/455 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式的气相生长装置具备：反应室；第一气体室，设置于反应室之上，被导入第一工艺气体；以及多个第一气体流路，从第一气体室向反应室供给第一工艺气体，多个第一气体流路中的至少1个第一气体流路具有第一区域和位于第一区域与反应室之间的第二区域，第一区域具有与第一工艺气体的流动方向垂直的面中的第一开口截面积和上述方向的第一长度，第二区域具有与上述方向垂直的面中的第二开口截面积和上述方向的第二长度，第一开口截面积比第二开口截面积小，第一长度为第二长度以下。 | ||
| 搜索关键词： | 相生 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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