[发明专利]测量方法和设备在审

申请号：	201980055729.X	申请日：	2019-08-12
公开（公告）号：	CN112639611A	公开（公告）日：	2021-04-09
发明（设计）人：	克里斯多夫·艾伦·斯彭斯	申请（专利权）人：	ASML荷兰有限公司
主分类号：	G03F1/36	分类号：	G03F1/36;G03F7/20
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	张启程
地址：	荷兰维***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	一种控制使用合格化的光学邻近效应校正(OPC)模型的成像过程的方法，所述方法包括：获取OPC模型，所述OPC模型被配置成在用于在图案化过程中使用后OPC设计在衬底上形成图案的过程中对预OPC设计的OPC修改的行为进行建模；在制造环境中使用所述图案化过程；收集在所述制造环境中使用所述图案化过程被图案化的衬底中的过程控制数据；将收集到的过程控制数据储存在数据库中；通过硬件计算机系统分析所储存的收集到的过程控制数据，以验证所述OPC模型是在所选阈值内的校正图案特征；以及对于落入所选阈值外的图案特征，确定对所述成像过程的修改以校正成像误差。
搜索关键词：	测量方法设备
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摘要：公开了与合成用于在制造半导体器件时使用的掩模相关的技术。通过使用逆光刻技术(ILT)合成与用于半导体器件的设计图案相关的一个或多个多边形来生成用于机器学习(ML)模型的多个训练掩模(106)。使用通过使用ILT所生成的多个训练掩模和用于半导体器件的设计图案两者作为输入来训练ML模型(108)。经训练的ML模型被配置为基于设计图案来合成用于在制造半导体器件时使用的一个或多个掩模(110)。

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摘要：本文中描述了一种确定待印制在衬底上的目标图案的掩模图案的方法(400)。该方法包括：参考目标图案上的给定位置，将包括目标图案的设计布局(401)的一部分划分(P401)成多个单元(402)；在多个单元中的特定单元内分配(P403)多个变量(403)，特定单元包括目标图案或目标图案的一部分；以及基于多个变量的值，确定(P405)目标图案的掩模图案(405)，使得使用掩模图案的图案化过程的性能度量在期望的性能范围内。

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摘要：描述了一种用于将图案成像到衬底上的源掩模优化或仅掩模优化方法。该方法包括：针对来自照射源的照射，确定非均匀照射强度分布；以及基于非均匀照射强度分布，确定对图案的一个或多个调节，直到确定图案化到衬底上的特征与目标设计基本匹配。可以基于照射源和光刻设备的投影光学器件来确定非均匀照射强度分布。在一些实施例中，投影光学器件包括狭缝，并且非均匀照射分布是贯通狭缝非均匀照射强度分布。例如，确定对图案的一个或多个调节可以包括执行光学邻近校正。

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摘要：公开了用于调度对布局设计进行的光学邻近校正(OPC)操作或其他分辨率增强技术(RET)操作的系统和方法。布局设计被分成多个区域，例如多个图块。对所述多个图块执行OPC以生成经修改的布局设计。对多个图块执行OPC将是耗时的。为了更有效地分配OPC的处理，对用于多个图块的OPC处理时间进行估算。对用于相应图块的OPC处理时间的估算可以基于以下分析中的一者或两者：对相应图块的分析；或者对邻近相应图块的一个或多个图块的分析。基于该估算，具有较长的估算处理时间的图块是在具有较短的估算处理时间的图块之前被调度的，由此可能导致更有效的OPC处理。

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摘要：本文中描述了一种用于确定对掩模的特征的校正的方法。该方法包括：获取(i)用于设计布局的图案组，以及(ii)用于设计布局的、使用在图案化工艺中使用的掩模成像的衬底的缺陷检查数据；基于缺陷检查数据，确定与图案组相关联的缺陷图，其中缺陷图包括与设计布局的其他图案相比被印刷在衬底上的概率相对较高的辅助特征的位置；以及经由使用与缺陷图相关联的数据模拟光学邻近校正过程，确定对掩模的特征的校正。

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申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本文描述的是一种确定用于训练机器学习模型以预测光学邻近效应校正的代表图案的方法。所述方法包括：获得包括一组图案群组的设计布局，每个图案群组包括一个或更多个子群组；确定所述一组图案群组中的一组代表图案，所述代表图案是其实例出现于所述一组图案群组中的子群组；经由使用所述一组代表图案来模拟光学邻近效应校正过程，获得与所述一组代表图案相关联的参考光学邻近效应校正数据；和训练机器学习模型，以基于所述一组代表图案和所述一组参考光学邻近效应校正数据来预测针对所述设计布局的光学邻近效应校正。

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申请日： 2020-01-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明描述多种训练方法和一种掩模校正方法。所述方法之一用于训练机器学习模型，该机器学习模型被配置成预测用于掩模的优化后邻近效应校正(OPC)图像。所述方法涉及：获得(i)与待印制于衬底上的设计布局相关联的优化前邻近效应校正图像、(ii)所述掩模的与所述设计布局相关联的一个或更多个辅助特征的图像、和(iii)所述设计布局的优化后邻近效应校正参考图像；以及将所述优化前邻近效应校正图像和所述一个或更多个辅助特征的图像用作输入来训练所述机器学习模型，使得所述参考图像与所述机器学习模型的所预测的优化后邻近效应校正图像之间的差异被减小。

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申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本文中描述一种用于在布局图案化过程中确定训练图案的方法。所述方法包括：从图案集合中的图案产生多个特征；基于多个所产生的特征的相似性，将所述图案集合中的所述图案分组成单独的组；以及从所述单独的组选择代表性图案以确定所述训练图案。在一些实施例中，所述方法是用于在布局图案化过程中训练机器学习模型的方法。例如，所述方法可以包括将来自所述单独的组的代表性图案提供至所述机器学习模型以训练所述机器学习模型预测用于所述布局图案化过程中的光学邻近效应校正(OPC)的连续透射掩模(CTM)映射。

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申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本文描述一种方法，所述方法用于产生待用于图案化过程中的掩模图案。所述方法包括：(P301)获得(i)第一特征片段和(ii)第二特征片段，所述第一特征片段包括初始掩模图案的第一多边形部分，所述第二特征片段(P302)包括所述初始掩模图案的第二多边形部分；(P303)调整位于所述第一特征片段与所述第二构件片段之间的片段边界处的所述第二多边形部分，使得所述第一多边形部分与所述第二多边形部分之间在所述片段边界处的差减小；以及(P305)在所述片段边界处组合所述第一多边形部分与调整后的第二多边形部分，以形成所述掩模图案(330)。

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申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本文描述了一种用于确定图案形成装置图案的方法。所述方法包括：获得(i)具有至少一个特征的初始图案形成装置图案，以及(ii)所述至少一个特征的期望特征尺寸；基于图案化过程模型、所述初始图案化设备图案形成装置图案和针对衬底的目标图案，获得由所述初始图案形成装置得到的所述衬底图像的预测图案与针对所述衬底的所述目标图案之间的差异值；确定与所述至少一个特征的所述可制造性相关的惩罚值，其中所述惩罚值根据所述至少一个特征的所述尺寸变化；以及基于所述初始图案形成装置图案和所述期望特征尺寸来确定所述图案形成装置图案，使得所述差异值和所述惩罚值的总和被减小。

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发明人：克里斯多夫·艾伦·斯彭斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G03F1/36
摘要：一种控制使用合格化的光学邻近效应校正(OPC)模型的成像过程的方法，所述方法包括：获取OPC模型，所述OPC模型被配置成在用于在图案化过程中使用后OPC设计在衬底上形成图案的过程中对预OPC设计的OPC修改的行为进行建模；在制造环境中使用所述图案化过程；收集在所述制造环境中使用所述图案化过程被图案化的衬底中的过程控制数据；将收集到的过程控制数据储存在数据库中；通过硬件计算机系统分析所储存的收集到的过程控制数据，以验证所述OPC模型是在所选阈值内的校正图案特征；以及对于落入所选阈值外的图案特征，确定对所述成像过程的修改以校正成像误差。

掩模版增强技术中的设计的建模-201880083241.3
发明人： P.J.恩加尔 -专利权人： D2S公司
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摘要：用于掩模版增强技术(RET)的方法包括：将目标晶片图案或所预测晶片图案表示为作为函数样本数组捕获的平滑函数，所述函数样本数组是函数值的数组。提供连续色调掩模(CTM)，其中所述CTM用于产生所预测晶片图案。用于RET的方法还包括：输入目标晶片图案，其中所述目标晶片图案跨越整个设计区域。将所述整个设计区域划分成多个图块，每个图块具有围绕所述图块的光晕区。迭代所述整个设计区域的所提议掩模，直到所提议掩模满足产生所述目标晶片图案的标准为止。每次迭代包括：针对所述多个图块的子集计算所预测晶片图案；以及更新所述图块的所提议掩膜；其中所述子集中的所有图块都在下一迭代之前被计算。

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发明人： W·T·特尔;T·I·瓦洛 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： G03F1/36
摘要：提供一种工艺，该工艺包括：获得布局，所述布局至少部分地指定通过图案化过程和蚀刻过程转移到衬底上的图案；以及利用一个或更多个处理器修改所述布局以包括蚀刻辅助特征，该蚀刻辅助特征大于图案化过程的分辨率极限且小于蚀刻过程的分辨率极限，该蚀刻辅助特征配置成减小图案化过程或蚀刻过程的偏差，以减小所述布局中的特征的归因于蚀刻过程的蚀刻诱发移位，或者扩展另一个图案化过程的过程窗口。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]测量方法和设备在审

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