[发明专利]具有耦合在数字线之间的垂直薄膜晶体管的存储器阵列在审
| 申请号： | 201980049411.0 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN112470224A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | S·J·德尔纳;C·L·英戈尔斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/404 | 分类号： | G11C11/404;G11C11/4091;G11C11/4093 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在本文所揭示的实例中，一种存储器阵列可具有耦合到第一层级处的第一数字线的存储器单元的第一群组及耦合到所述第一层级处的第二数字线的存储器单元的第二群组。第三数字线可位于第二层级处且可耦合到主感测放大器。第一垂直薄膜晶体管TFT可位于所述第一层级与所述第二层级之间的第三层级处且可耦合在所述第一数字线与所述第三数字线之间。第二垂直TFT可位于所述第三层级处且可耦合在所述第二数字线与所述第三数字线之间。局部感测放大器可耦合到所述第一数字线及所述第二数字线。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 耦合 数字 之间 垂直 薄膜晶体管 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
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