[实用新型]半导体封装结构有效

专利信息
申请号: 201920735268.8 申请日: 2019-05-22
公开(公告)号: CN209641652U 公开(公告)日: 2019-11-15
发明(设计)人: 陈彦亨;林正忠 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/66;H01Q1/22;H01L21/50
代理公司: 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) 代理人: 余明伟<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 214437江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 实用新型提供一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括重新布线层,重新布线层包括介质层及金属连接层;第一玻璃基板,位于重新布线层的第二表面;金属连接柱,贯穿第一玻璃基板,且与金属连接层电性连接;第一天线层,与金属连接柱电性连接;第二玻璃基板,覆盖第一天线层;第二天线层,位于第二玻璃基板表面;金属凸块,与金属连接层电性连接;以及芯片,与金属连接层电性连接。本实用新型的半导体封装结构采用重新布线层及多层玻璃基板实现两层或更多层天线金属层的整合,有助于封装结构的体积缩小,提高器件集成度,同时有助于其制备工艺的简化和生产成本的降低,有利于其性能的提升。
搜索关键词: 金属连接层 重新布线层 电性连接 半导体封装结构 玻璃基板 天线层 本实用新型 金属连接柱 玻璃基板表面 器件集成度 第二表面 多层玻璃 多层天线 封装结构 金属凸块 体积缩小 制备工艺 介质层 金属层 基板 两层 整合 生产成本 芯片 贯穿 覆盖
【主权项】:
1.一种半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构包括:/n重新布线层,具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,所述重新布线层包括介质层及位于所述介质层内的金属连接层;/n第一玻璃基板,位于所述重新布线层的第二表面;/n金属连接柱,贯穿所述第一玻璃基板,且与所述金属连接层电性连接;/n第一天线层,位于所述第一玻璃基板远离所述重新布线层的表面,所述第一天线层与所述金属连接柱电性连接;/n第二玻璃基板,覆盖所述第一天线层;/n第二天线层,位于所述第二玻璃基板远离所述第一天线层的表面;/n金属凸块,位于所述重新布线层的第一表面,且与所述金属连接层电性连接;以及/n芯片,位于所述重新布线层的第一表面,且与所述金属连接层电性连接。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯长电半导体(江阴)有限公司,未经中芯长电半导体(江阴)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920735268.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top