[实用新型]一种以Al2O3薄膜为缓冲层的量子点发光二极管

摘要

本实用新型公开了一种以Al₂O₃薄膜为缓冲层的量子点发光二极管，所述QLED包括依次层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层、Al₂O₃缓冲层和阴极。阻挡银浆、碳纳米管等可溶液加工电极材料对下面功能层造成侵蚀的方法，本实用新型在制备电极材料之前加工一层Al₂O₃绝缘层，形成一层薄且致密的缓冲层，阻挡溶剂渗透从而保护下层功能层；同时该Al₂O₃绝缘层能作为电子阻挡层平衡载流子，进而有效提高QLED器件的性能和稳定性。

主权项

1.一种以Al₂O₃薄膜为缓冲层的量子点发光二极管,其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层、Al₂O₃缓冲层和阴极；所述Al₂O₃缓冲层的厚度为1‑10nm。