[实用新型]一种以Al2O3薄膜为缓冲层的量子点发光二极管

说明书

本实用新型公开了一种以Al₂O₃薄膜为缓冲层的量子点发光二极管，所述QLED包括依次层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层、Al₂O₃缓冲层和阴极。阻挡银浆、碳纳米管等可溶液加工电极材料对下面功能层造成侵蚀的方法，本实用新型在制备电极材料之前加工一层Al₂O₃绝缘层，形成一层薄且致密的缓冲层，阻挡溶剂渗透从而保护下层功能层；同时该Al₂O₃绝缘层能作为电子阻挡层平衡载流子，进而有效提高QLED器件的性能和稳定性。

技术领域

本实用新型属于光电器件技术领域,公开了一种以Al₂O₃薄膜为缓冲层的量子点发光二极管。

背景技术

量子点发光二极管被认为是下一代显示技术候选者，具有窄的可调发光峰、高稳定性和色纯度以及优异的色彩再现性等优点。为了制备低成本、高效无真空加工的QLED器件，金属电极需要采用溶液加工方式制备。大多数溶液加工的电极材料，如碳纳米管、石墨烯、纳米线网络结构、银浆等，通常都被溶解在有机溶剂当中。当加工这些材料到器件上，下层的有机功能层通常会被该有机溶剂溶解破坏，因此极大地降低了器件性能和稳定性。为了解决这个问题，通常认为有两种途径：第一种是使用一种厚的缓冲层来阻止溶剂渗透从而保护功能层，如掺杂环氧树脂，但是缓冲层较厚对器件性能影响较大；第二种是使用无溶剂的液态金属，一般是使用基于镓合金的液态金属，然而镓是一种稀有金属，成本高且极易氧化形成GaO₂膜，器件制备过程复杂。而且，在目前QLED器件中，一般采用ZnO作为电子传输层，导致电子为多数载流子，器件效率滚降较严重。因此实用新型一种致密的薄缓冲层对于阻挡溶剂侵蚀、平衡载流子注入且制备低成本、高性能无真空加工过程的全溶液QLED器件具有重要意义。

实用新型内容

本实用新型的所要解决的问题是提供一种以Al₂O₃薄膜为缓冲层的量子点发光二极管，阻止溶液加工的电极材料对下层功能层的侵蚀破坏。

本实用新型的目的通过下述方案实现。

一种以Al₂O₃薄膜为缓冲层的量子点发光二极管,包括依次层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层、Al₂O₃缓冲层和阴极。

优选所述缓冲层的厚度为1-10nm。

进一步的，所述衬底选自聚酞亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜树脂的柔性衬底，或玻璃的刚性衬底；

进一步的，所述阳极选自金属、金属氧化物或碳材料导电膜。

优选的，所述金属导电膜选自银纳米颗粒、银纳米线或镓铟锡合金导电膜；所述金属氧化物导电膜选自氧化铟锡导电膜、锑掺杂二氧化锡导电膜或铟稼锌氧化物导电膜；所述碳材料导电膜选自碳纳米管、石墨烯或石墨烯衍生物导电膜。

进一步的，所述空穴注入层可选自具有良好空穴注入性能的材料，可以为但不限于水溶性的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、酞菁铜(CuPc)、2,3,5,6-四氟 -7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HATCN)、掺杂过渡金属氧化物、非掺杂过渡金属氧化物、掺杂金属硫系化合物或非掺杂金属硫系化合物中的一种或多种。