[实用新型]一种以Al2O3薄膜为缓冲层的量子点发光二极管

权利要求书

1.一种以Al₂O₃薄膜为缓冲层的量子点发光二极管,其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层、Al₂O₃缓冲层和阴极；所述Al₂O₃缓冲层的厚度为1-10nm。

2.根据权利要求1所述量子点发光二极管，其特征在于，所述衬底是柔性衬底或玻璃刚性衬底。

3.根据权利要求1所述量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极选自金属、金属氧化物或碳材料导电膜。

4.根据权利要求1所述量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的材料选自水溶性的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸、酞菁铜、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、掺杂过渡金属氧化物、非掺杂过渡金属氧化物、掺杂金属硫系化合物或非掺杂金属硫系化合物中的一种以上。

5.根据权利要求3所述量子点发光二极管，其特征在于，所述金属导电膜选自银纳米颗粒、银纳米线或镓铟锡合金导电膜；所述金属氧化物导电膜选自氧化铟锡导电膜、锑掺杂二氧化锡导电膜或铟稼锌氧化物导电膜；所述碳材料导电膜选自碳纳米管、石墨烯或石墨烯衍生物导电膜。

6.根据权利要求1所述量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的材料选自N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、四苯基联苯二胺类化合物、聚（N,N'双（4-丁基苯基）-N,N'-双（苯基）联苯胺）、N, N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二(苯基)-9,9-螺环芴、1,2,4,5-四（三氟甲基）苯、聚乙烯基咔唑、4,4'-二(9-咔唑)联苯、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑或8-羟基喹啉铝中一种或两种以上。

7.根据权利要求1所述量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的材料选自MoO₃纳米材料、NiO纳米材料或WO₃纳米材料中一种以上，所述阴极的材料为银浆、石墨烯、碳纳米管或银纳米线。

8.根据权利要求1所述量子点发光二极管，其特征在于，量子点层的材料选自II-VI族、III-V族、IV-VI族化合物半导体纳米晶体，或选自具有核-壳结构的纳米晶体、梯度合金量子点的合金量子点；电子传输层的材料选自无机氧化物或掺杂无机氧化物。