[发明专利]硅基光电探测器的制造方法在审
| 申请号： | 201911402932.8 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111508834A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;唐波;李志华;李彬;刘若男 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基光电探测器的制造方法，包括：在半导体衬底的上表面形成介质层结构，所述介质层结构包括至下而上依次层叠设置的第一介质层、停止层以及第二介质层；采用干法刻蚀工艺对所述第二介质层进行刻蚀，形成第一凹槽；采用干法刻蚀工艺对所述第一凹槽的底部进行刻蚀，形成第二凹槽；采用湿法刻蚀工艺对所述第二凹槽的底部进行刻蚀，形成第三凹槽；在所述第三凹槽的底部生长探测层；对所述探测层进行表面平坦化处理，使所述探测层的上表面和所述第二介质层的上表面位于同一平面内。本发明提供的硅基光电探测器的制造方法，可以减小所述硅基光电探测器的暗电流。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 探测器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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