[发明专利]一种低介低二次电子发射系数复合粉体、制备方法及应用有效
| 申请号： | 201911389649.6 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113121207B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 杨殿来;张莹莹;段同飞;杨国庆;马俊良;崔俊刚;薛健;许壮志;张明;周亮 | 申请（专利权）人： | 辽宁省轻工科学研究院有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/622;C04B35/626;H01B3/12 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110142 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低介低二次电子发射系数复合粉体、制备方法及应用，其中，所述复合粉体包括Al、Cr、Mn、Ti、Mo、Si、La、Eu、Y、Ho、Mg、Cu，制备方法如下：首先，引入掺杂剂并进行一次球磨，然后，缓慢加入氧化铝粉体进行二次高能球磨，得氧化铝基球磨浆料，最后，对氧化铝基球磨浆料进行真空冷冻干燥、低温煅烧获得。该复合粉体可以通过刷涂、喷涂等多种施工工艺对真空绝缘材料进行涂层，达到提高真空绝缘工件，尤其是伪火花开关沿面闪络耐压的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低介低 二次电子 发射 系数 复合 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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