[发明专利]一种沟槽刻蚀及侧壁粗化方法和发光二极管有效
| 申请号： | 201911366357.0 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111048414B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 邬新根 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 潘颖 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽刻蚀及侧壁粗化方法和发光二极管，包括采用ICP刻蚀机及相应刻蚀气体，且通过开口对待刻蚀外延片进行刻蚀形成沟槽；采用ICP刻蚀机及相应物理溅射气体，对掩膜层背离待刻蚀外延片一侧的表面进行轰击，使部分掩膜层溅射粘附于沟槽的侧壁，而形成散落点状的遮蔽层；采用ICP刻蚀机及相应化学气体，对遮蔽层裸露沟槽的侧壁处进行化学腐蚀。可见，对ICP刻蚀机通入相应刻蚀气体完成待刻蚀外延片的沟槽刻蚀过程；对ICP刻蚀机通入相应化学气体对遮蔽层裸露沟槽的侧壁进行化学腐蚀，完成沟槽侧壁的粗化过程；采用同一ICP刻蚀机完成沟槽刻蚀和沟槽的内壁粗化，提高发光二极管的制作效率，降低发光二极管的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 刻蚀 侧壁 方法 发光二极管 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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