[发明专利]Si-P膜层材料的制备方法有效
| 申请号： | 201911354017.6 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111118565B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 周琼宇;李媛媛;王小芬 | 申请（专利权）人： | 佛山科学技术学院 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C25D5/24;C25D5/18;H01M4/38;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 朱继超 |
| 地址： | 528000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si‑P膜层材料的制备方法，包括步骤：将乙腈与四乙基氯化铵混合制成基础电解液，加入硅源和磷源后进行电沉积，从金属Ni基底电极表面即可获得所述Si‑P膜层材料。本发明与现有技术相比具有优点：利用操作简单易于控制的电沉积技术，在电极的Ni镀层表面实现P、Si的共同沉积，在实现Si膜层与Ni结构紧密包覆的同时完成P元素掺杂，最终实现用电沉积的方法获得可作为锂离子动力电池负极的电化学性能优异的Si‑P膜层材料。 | ||
| 搜索关键词： | si 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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