[发明专利]半导体设备及其供气系统在审
申请号: | 201911353207.6 | 申请日: | 2019-12-25 |
公开(公告)号: | CN110965050A | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 史晶;郑波;马振国;王晶;吴鑫 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/455;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请实施例提供了一种半导体设备及其供气系统。该供气系统的载气管路与前驱物主容器连通,前驱物主容器用于容纳前驱物并生成前驱物气体,前驱物气体与载气在前驱物主容器中混合形成混合气体;前驱物管路与半导体设备的工艺腔室连通,混合气体通过前驱物管路通向工艺腔室;前驱物补充容器用于容纳前驱物并生成前驱物气体,前驱物补充容器通过补充管路与前驱物管路连通;第一质量流量器设于前驱物管路上,用于检测混合气体的流量值;控制器控制补充管路中前驱物气体的流量值,以向前驱物管路中补充前驱物气体。本申请实施例不仅保证了沉积薄膜的质量,改善了工艺重复性,而且提高了晶圆的良品率及经济效益。 | ||
搜索关键词: | 半导体设备 及其 供气 系统 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的