[发明专利]半导体设备反应腔室有效
| 申请号： | 201911346492.9 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111105976B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 王德志;柳朋亮 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体设备反应腔室。半导体设备反应腔室包括：主体腔室和抽气腔室；主体腔室内设置有内衬，内衬将主体腔室的内部空间分隔为进气腔和出气腔；进气腔与出气腔分别为圆柱状腔体，且出气腔的内径大于进气腔的内径；下电极设置于出气腔内，且下电极的部分延伸至进气腔内，内衬环绕下电极设置；内衬上设置有多个通气孔；多个通气孔的面积总和为内衬的通气面积；抽气腔室与出气腔连接，用于将主体腔室内的工艺气体抽出。利用反应腔室执行等离子工艺时，工艺更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 反应 | ||
【主权项】：
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