[发明专利]硅片生产过程的控制系统有效
申请号: | 201911334090.7 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN110970530B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 左国军;张浩;万红朝 | 申请(专利权)人: | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 汪海屏;刘潇 |
地址: | 213133 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了硅片生产过程的控制系统。所述硅片生产过程的控制系统包括:硅片生产设备,适于生产硅片;生产管理系统,与所述硅片生产设备信号连接,适于采集所述生产管理系统的工艺数据,并为所述硅片分配身份信息;控制装置,与所述硅片生产设备和所述生产管理系统分别信号连接,在所述硅片进入所述硅片生产设备时接收来自所述生产管理系统的所述身份信息,并在所述硅片离开所述硅片生产设备时将所述身份信息上传至所述生产管理系统,以使得所述工艺数据与所述身份信息相互关联。本发明能够将每个硅片的身份信息和其工艺数据相互结合,以便对每个硅片的生产过程进行监控和记录。 | ||
搜索关键词: | 硅片 生产过程 控制系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的