[发明专利]一种Cu-MoNbTaVW难熔高熵合金双连续结构材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201911258184.0 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112941356B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 邵军超;金海军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C22C1/10 | 分类号： | C22C1/10;C22C1/02;B22D23/04;C22C1/08;C22C9/00;C22C30/02 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种Cu‑MoNbTaVW难熔高熵合金双连续结构材料及其制备方法，属于双连续结构材料和高熵合金制备技术领域。该Cu‑MoNbTaVW难熔高熵合金双连续结构材料中的双连续相分别为Cu相和MoNbTaVW难熔高熵合金相，这两相各自在整个三维空间中各自连续并相互贯穿呈网络状结构。所述双连续结构材料的制备为：将前驱体母合金A |
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| 搜索关键词： | 一种 cu monbtavw 难熔高熵 合金 双连 结构 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 本发明涉及石墨烯金属材料制备技术领域，公开了一种石墨烯金属导电材料的生产方法和设备，该方法包括石墨烯生长步骤和模压成型步骤，所述石墨烯生长步骤和模压成型步骤在同一腔室内进行。该设备包括一体化生长模压腔室和与一体化生长模压腔室连通的管路系统，一体化生长模压腔室内设有加热系统、夹具和模具，模具包括可竖向移动的公模和母模，夹具位于公模和母模之间。本发明中的石墨烯生长步骤和模压成型步骤在同一腔室内进行，避免生长有石墨烯的金属箔/板在模压成型前接触空气，从而避免空气中的水分、杂质、氧气对生长有石墨烯的金属箔/板造成影响，进而提高石墨烯金属导电材料的导电率，从而提高石墨烯金属导电材料的品质。
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