[发明专利]一种晶体抛光方法在审
| 申请号： | 201911180847.1 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110834264A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 陈琳;张明文;潘永志;龙洪波;陈坚 | 申请（专利权）人： | 湖南大合新材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B08B3/12 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 曾志鹏 |
| 地址： | 421000 湖南省衡阳*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体抛光方法，涉及抛光领域，包括以下步骤，准备好待抛光晶体，对待抛晶体的待抛光面进行抛光处理；将抛光完成的晶体放置于清洗液中，通过超声波对其进行清洗；将清洗后的晶体放置于烘干箱中进行烘干；将烘干后的晶体放置于保温箱中，保存1至2小时后，晶体随保温箱空冷至室温取出；在抛光后，通过超声波进行清洗，避免了在清洗时晶体之间相互碰撞，减少了由于碰撞造成晶体表面缺陷或内部裂纹的可能，同时在晶体清洗后，引入了热处理的方法，主动利用退火处理表面缺陷，从而得到更理想的晶体表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 抛光 方法 | ||
【主权项】：
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