[发明专利]一种钝化接触电池及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201911120917.4 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN112825340B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 安欣睿;陈海燕;张临安;李兵;邓伟伟 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钝化接触电池及其制备方法和应用，所述钝化接触电池的制备方法包括氧化层的形成方法，所述氧化层的形成方法包括：先进行化学氧化，而后进行热氧化，形成所述氧化层；钝化接触的制备方法中氧化层采用化学氧化和热氧化叠加处理生长氧化层，便于快速均匀的形成氧化层；该钝化接触电池的制备方法得到的钝化接触电池具有较好的光转化效率和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 接触 电池 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
