[发明专利]一种SOI晶圆片的制备方法

摘要

本发明提供一种SOI晶圆片的制备方法，所述制备方法包括：对清洗后的高阻硅片进行氧化，并通过低压化学气相沉积的方式，得到具有掺氧多晶硅层的高阻硅片；对清洗后的低阻硅片进行氧化，并对具有氧化硅层的低阻硅片进行氢离子注入；将具有掺氧多晶硅层的高阻硅片和注入后的低阻硅片进行键合和退火处理，得到键合片；对键合片进行裂片，得到具有掺氧多晶硅层的SOI；清洗所述SOI，并进行退火处理得到处理后的SOI晶圆片；进行清洗和CMP工艺，得到具有掺氧多晶硅层的SOI晶圆片。本发明的SOI晶圆片的制备方法，能够抑制硅衬底的表面寄生电导，限制电容变化和减少产生的谐波的功率，从而使高阻SOI衬底电阻率的损失降至最低。

主权项

1.一种SOI晶圆片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：/n依次采用DHF、SC1和SC2清洗高阻硅片，对清洗后的高阻硅片进行氧化，氧化温度为1000～1150℃，得到具有氧化硅层的高阻硅片；/n通过低压化学气相沉积的方式，在生长压力0.1～5.0Torr，反应温度600～650℃的条件下，进行预定次数的所述多晶硅淀积步骤直至掺氧多晶硅层的厚度达到预定厚度，得到所述具有掺氧多晶硅层的高阻硅片；其中，所述多晶硅淀积步骤为：在所述氧化硅层的表面淀积多晶硅，再通入1～5分钟的0.5％～1％氧气/氩气；/n依次采用DHF、SC1和SC2清洗低阻硅片，对清洗后的低阻硅片进行氧化，氧化温度为950～1020℃，得到具有氧化硅层的低阻硅片；/n对所述具有氧化硅层的低阻硅片进行氢离子注入，注入深度小于