[发明专利]一种分栅快闪存储器的版图、掩膜版及版图制作方法有效

专利信息
申请号: 201911025730.6 申请日: 2019-10-25
公开(公告)号: CN110828463B 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: 陈宏 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L27/11517 分类号: H01L27/11517;G03F1/76
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种分栅快闪存储器的版图、掩膜版及版图制作方法,所述分栅快闪存储器的版图包括一浮栅版图层,所述浮栅版图层的浮栅图形区四周形成有冗余图形区,采用该版图制得掩膜版,从而形成分栅快闪存储器时,形成的分栅快闪存储器的浮栅结构的四围还围绕着没有功能的冗余结构,该冗余结构在后续对存储器的源线进行研磨时,起到负载作用,可在一定程度上保护浮栅结构的边缘不会被过度研磨,从而可以避免字线高度过低。即,本发明提供的分栅快闪存储器的版图、掩膜版及版图制作方法解决了分栅快闪存储器编程串扰失效的问题。
搜索关键词: 一种 分栅快 闪存 版图 掩膜版 制作方法
【主权项】:
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