[发明专利]发光二极管晶圆检测装置与方法在审
申请号: | 201911001889.4 | 申请日: | 2019-10-21 |
公开(公告)号: | CN112635340A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 廖建硕;张德富;卢俊安 | 申请(专利权)人: | 台湾爱司帝科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 王红艳 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种发光二极管晶圆检测装置与方法,发光二极管晶圆检测装置包括:一光产生模块、一光过滤模块以及一光检测模块。光产生模块提供一第一光束,第一光束穿过一发光二极管晶圆,以转换成一第二光束。光过滤模块邻近发光二极管晶圆以接收第二光束,第二光束穿过光过滤模块,以转换成一第三光束。光检测模块邻近光过滤模块以接收第三光束。第二光束的波长范围通过光过滤模块而受到限缩,以使得第三光束的波长范围小于第二光束的波长范围。借此,当光检测模块接收第三光束时,光检测模块能对第三光束进行光学检测。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 检测 装置 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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