[发明专利]利用离子注入技术制备的二氧化钛晶相异质结构及其方法在审

专利信息
申请号: 201910945799.4 申请日: 2019-09-30
公开(公告)号: CN110670133A 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 马钰洁 申请(专利权)人: 深圳技术大学
主分类号: C30B29/16 分类号: C30B29/16;C30B33/02;C23C14/48;C23C14/58;B01J21/06
代理公司: 12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所 代理人: 李素兰
地址: 518118 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种利用离子注入技术制备的二氧化钛晶相异质结构及其方法,该结构基于金红石二氧化钛单晶块体材料,存在于近表面区域,由不同厚度的锐钛矿结构层(3)和金红石结构层(1)相交错构成的异质结构,其中:所述金红石结构层(1)为保留的原始金红石二氧化钛单晶结构,所述锐钛矿层(3)由高剂量、多能量的离子注入后退火获得。本发明利用多能量离子注入和退火方法可以获得晶格结构较好的单晶异质结构,从而实现高效率的光催化转化;并且,同时实现不同晶相(锐钛矿‑金红石)和不同晶面的异质结构,进一步提升光催化效率。
搜索关键词: 异质结构 金红石二氧化钛 金红石结构 退火 离子注入技术 多能量离子 光催化效率 近表面区域 锐钛矿结构 单晶结构 单晶块体 二氧化钛 晶格结构 多能量 高剂量 高效率 光催化 后退火 金红石 锐钛矿 单晶 矿层 锐钛 相异 制备 离子 交错 保留 转化
【主权项】:
1.一种利用离子注入技术制备的二氧化钛晶相异质结构,其特征在于,该结构为存在于金红石二氧化钛单晶块体材料近表面区域的由不同厚度的锐钛矿结构层(3)和金红石结构层(1)相交错构成的异质结构,其中:/n所述金红石结构层(1)为保留的原始金红石二氧化钛单晶结构,所述锐钛矿层(3)由高剂量、多能量的离子注入后退火获得。/n
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