[发明专利]金属粉末表面生长石墨烯的方法及石墨烯有效
| 申请号： | 201910926733.0 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110777354B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 侯星云 | 申请（专利权）人： | 北京碳垣新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/44;B22F1/16;C01B32/186 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 100071 北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及金属复合材料领域，具体公开了一种金属粉末表面生长石墨烯的方法，该方法包括以下步骤：将碳源、金属粉末、保护气体均匀分散的喷入化学气相沉积炉内；碳源和金属粉末进入化学气相沉积炉的高温区，其中，金属粉末在化学气相沉积炉的高温区形成金属液滴，碳源高温下在金属液滴表面催化裂解，生长出石墨烯；表面生长有石墨烯的金属液滴在保护气体的推动以及自身重力的作用下继续下落，进入化学气相沉积炉的低温区，凝固成石墨烯包覆的金属粉，依次进行收集、清洗、干燥、抽真空。本发明实施例具有粉末分散程度性好、石墨烯质量高、可连续规模化生产的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 金属粉末 表面 生长 石墨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属粉末表面生长石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n将碳源、金属粉末、保护气体均匀分散的喷入化学气相沉积炉内；/n所述碳源和金属粉末进入所述化学气相沉积炉的高温区，其中，所述金属粉末在所述化学气相沉积炉的高温区形成金属液滴，所述碳源高温下在所述金属液滴表面催化裂解，生长出石墨烯；/n表面生长有石墨烯的金属液滴在所述保护气体的推动以及自身重力的作用下继续下落，进入所述化学气相沉积炉的低温区，凝固成石墨烯包覆的金属粉。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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