[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910896404.6 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN110600994A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 杨锦泷;王晓平;丁怀义;潘楠;熊谦 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张雪娇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中，所述垂直腔面发射激光器的制备方法通过磁控溅射法分别在第一衬底和第二衬底上形成第一DBR层和第二DBR层，通过旋涂在所述第二DBR层上形成发光层，避免了通过外延生长制备DBR层和发光层需要考虑膜层之间的晶格匹配的问题，使得用于制备第一DBR层和第二DBR层的材料无需受到晶格匹配的限制，有利于增加构成第一DBR层和第二DBR层中两种介质层之间的折射率差，使得第一DBR层和第二DBR层只需要较少的膜层即可具有高反射率，降低了器件的制备工序，从而降低了器件的制备周期、制备成本，提高了器件的制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 垂直腔面发射激光器 晶格匹配 发光层 衬底 膜层 磁控溅射法 高反射率 外延生长 折射率差 制备周期 介质层 旋涂 申请 | ||
【主权项】：
1.一种垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器的制备方法包括：/n以磁控溅射法在第一衬底上制备第一DBR层，以磁控溅射法在第二衬底上制备第二DBR层；/n获取发光材料量子点；/n利用所述发光材料量子点，在所述第二DBR层上形成发光层；/n将所述第一DBR层与所述发光层粘合，并将所述第一DBR层与所述第二DBR层的四周固定。/n
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