[发明专利]竖向延伸存储器单元串的阵列及用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法有效
| 申请号： | 201910844251.0 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110890374B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | J·D·霍普金斯;G·A·哈勒;T·J·约翰;A·A·汉德卡;C·拉森;K·舍罗特瑞 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B41/10 | 分类号： | H10B41/10;H10B41/41;H10B41/42;H10B41/27;H10B43/10;H10B43/40;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及竖向延伸存储器单元串的阵列及用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法。一种用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法包括形成包括垂直交替绝缘层及字线层的堆叠。堆叠包括堆叠的第一层与第二层之间的蚀刻停止层。蚀刻停止层具有与绝缘层及字线层的组合物不同的组合物。进行到蚀刻停止层上方的绝缘层及字线层中直到蚀刻停止层的蚀刻，以形成具有包括蚀刻停止层的个别基底的沟道开口。穿透蚀刻停止层以使沟道开口中的个别者延伸穿过蚀刻停止层。在使个别沟道开口延伸穿过蚀刻停止层之后，进行到蚀刻停止层下方的绝缘层及字线层中且穿过绝缘层及字线层的蚀刻，以使个别沟道开口更深地延伸到蚀刻停止层下方的堆叠中。 | ||
| 搜索关键词： | 竖向 延伸 存储器 单元 阵列 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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