[发明专利]一种以Zr为基底的Cr/Al单层膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201910838363.5 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110499494A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 宋忠孝;李玉楼;张娜;庞杰;关博远;孙军 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/16;G21C3/07 |
| 代理公司： | 61200 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈翠兰<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以Zr为基底的Cr/Al单层膜及其制备方法，其是利用磁控溅射镀覆方法在Zr表面沉积厚度大于10μm的Cr/Al膜，解决了现有多弧离子镀制备涂层的表面粗糙和磁控溅射制备薄膜的耐腐蚀性不足的问题。本发明制备方法包括：(1)对锆合金基体进行前处理；(2)预溅射清洗基体；(3)在Ar气气氛中，分别镀覆Cr或Al层，厚度大于10μm；通过本发明提供的锆合金管材的表面涂层可有效提高其抗高温水蒸气氧化性能，进一步提高了核燃料用Zr合金管材的耐蚀性和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 磁控溅射 锆合金 镀覆 水蒸气 多弧离子镀 表面沉积 表面涂层 合金管材 耐腐蚀性 使用寿命 氧化性能 单层膜 抗高温 耐蚀性 前处理 预溅射 管材 核燃料 基底 薄膜 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种以Zr为基底的Cr/Al单层膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)对Zr-4合金基底进行机械打磨和抛光处理；/n2)对抛光后的Zr-4合金基底进行超声清洗；/n3)对清洗后的Zr-4合金基底进行烘干处理；/n4)将处理好的Zr-4合金基底置于磁控溅射的夹具中，在靶基座上分别装上Cr靶或Al靶，并调整靶间距；本底真空控制在～10-4Pa，利用氩气调节腔体的气压在10-3～10-2Pa范围内；采用直流溅射方式溅射得到Cr/Al单层膜。/n
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