[发明专利]将硅-BJT集成到硅-锗-HBT的制造工艺在审
| 申请号： | 201910811341.X | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110875249A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 彼得鲁斯·许贝特斯·科内利斯·马涅;皮特·西蒙·范戴克;约翰内斯·J·T·M·唐克尔;多尔芬·阿贝索卢比责 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222;H01L27/082 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本说明书公开用于以不添加大量工艺复杂度的单一制造工艺将SiGe基异质结双极晶体管(HBT)和Si基双极结晶体管(BJT)集成在一起的方法，和能够利用这类流线型制造工艺制作的集成电路。在一些实施例中，这类集成电路能够享有所述SiGe HBT的较高射频(RF)性能和所述Si基BJT的较低泄漏电流的益处。在一些实施例中，能够将这类集成电路应用于静电放电(ESD)箝位电路以便实现较低良品率损失或无良品率损失。 | ||
| 搜索关键词： | bjt 集成 hbt 制造 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
