[发明专利]具有钝化增强层的金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法在审
申请号: | 201910691468.2 | 申请日: | 2019-07-29 |
公开(公告)号: | CN110416087A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 刘俊杰;陈荣盛;钟伟 | 申请(专利权)人: | 北方民族大学 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/06 |
代理公司: | 北京市领专知识产权代理有限公司 11590 | 代理人: | 张玲 |
地址: | 750021 宁夏回族*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: | 本发明涉及半导体技术领域,提出一种具有增强钝化层的金属氧化物薄膜晶体管,在沟道层与源、漏电极之间设置有增强钝化层,增强钝化层由无机钝化层和钝化增强层组成,其制备方法包括以下步骤:在衬底上沉积一层金属氧化物薄膜;在沉积有金属氧化物薄膜的衬底上沉积无机钝化层;将沉积有无机钝化层的衬底使用自组装单分子膜形成致密且疏水的自组装单分子层作为钝化增强层。本发明通过增强钝化层可提高晶体管的长期可靠性,增强钝化层由无机钝化层和钝化增强层组成,钝化增强层的所选材料能与无机钝化层表面通过自组装的方式形成超疏水界面,增强无机钝化层对空气中水氧的阻隔能力,从而能够显著提高器件的电学性能,尤其是稳定性。 | ||
搜索关键词: | 无机钝化层 钝化层 增强层 钝化 沉积 衬底 金属氧化物薄膜晶体管 金属氧化物薄膜 半导体技术领域 自组装单分子层 自组装单分子膜 致密 长期可靠性 电学性能 所选材料 超疏水 沟道层 晶体管 漏电极 自组装 疏水 制备 阻隔 制作 | ||
【主权项】:
1.一种具有增强钝化层的金属氧化物薄膜晶体管,其特征在于:包括衬底、栅极、绝缘层、金属氧化物薄膜、源极、漏极、增强钝化层,所述增强钝化层包括无机钝化层、钝化增强层,所述栅极贴合于衬底上方,所述绝缘层覆盖在栅极上方,所述金属氧化物薄膜贴合于绝缘层上方,所述源极和漏极贴合于金属氧化物薄膜上方,且源极和漏极之间空出沟道,所述无机钝化层位于所述沟道中,且与金属氧化物薄膜贴合,所述钝化增强层位于无机钝化层上方,且与无机钝化层贴合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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