[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201910675138.4 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111725221B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 荒井史隆;后藤正和;近藤正树;细谷启司;百百信幸 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/10 | 分类号： | H10B43/10;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含：第1配线层(33)；第1信号线(37)；第1存储单元MC，设置在第1配线层与第1信号线之间，存储第1信息；第2至第4配线层(SG0a～SGD2a)，积层在第1配线层的上方；第5至第7配线层(SG0b、CSL、及SG2b)，分别在第3方向上与第2至第4配线层分开地配置；第2信号线(45)，连接于第1信号线，并配置在第2配线层与第5配线层之间、第3配线层与第6配线层之间、及第4配线层与第7配线层之间；以及第3信号线(45)，连接于第1及第2信号线以及第6配线层，并配置在第2信号线与第5至第7配线层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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