[发明专利]一种稀土掺杂铪基铁电材料、制备方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201910675057.4 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110527978A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 张青竹;张兆浩;魏千惠;屠海令;殷华湘;魏峰;赵鸿滨;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/56;H01L27/11502 |
| 代理公司： | 11628 北京知迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王胜利<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种稀土掺杂铪基铁电材料，包括铪基铁电材料，铪基铁电材料中掺杂有稀土元素，掺杂的稀土元素与铪基铁电材料中铪元素原子比例介于(0.1~0.9):1。本发明还提供一种稀土掺杂铪基铁电材料的制备方法，包括：将含有稀土元素的物质掺杂至铪基铁电材料中，形成稀土掺杂的铪基铁电材料；在惰性气体中对稀土掺杂的铪基铁电材料进行退火，得到经退火处理后的稀土掺杂的铪基铁电材料。本发明还提供一种半导体器件。本发明制备的稀土掺杂的铪基铁电材料，使得材料的非对称性增加，可以使负电容材料更薄，具有很强的负电容特性；同时，利用稀土掺杂的铪基铁电材料制备的半导体器件，具有很高的电畴和反转速度，抗疲劳和可靠性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 铁电材料 铪基 稀土掺杂 稀土元素 制备 半导体器件 退火 电容材料 电容特性 惰性气体 非对称性 退火处理 物质掺杂 掺杂的 抗疲劳 铪元素 电畴 反转 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种稀土掺杂铪基铁电材料，其特征在于，包括：铪基铁电材料，所述铪基铁电材料中掺杂有稀土元素，掺杂的所述稀土元素与所述铪基铁电材料中铪元素原子比例介于(0.1~0.9):1。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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