[发明专利]生长于泡沫镍表面的钨掺杂的硫硒化镍薄膜包裹的硫硒化镍纳米棒及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201910669608.6 申请日: 2019-07-24
公开(公告)号: CN111111706A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 邓意达;王杨;胡文彬;张金凤;韩晓鹏;钟澄;李肖鹏 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: B01J27/057 分类号: B01J27/057;B01J35/02;C25B1/04;C25B11/02;C25B11/06
代理公司: 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 代理人: 王秀奎;张静
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供生长于泡沫镍表面的钨掺杂的硫硒化镍薄膜包裹的硫硒化镍纳米棒及其制备方法和应用,将硒源置于水合肼中机械搅拌溶解,得到硒源混合溶液,向上述硒源混合溶液中加入硫脲、氟化铵和钨源,而后再加入无水乙醇和去离子水,最终得到混合溶液;将混合溶液倒入聚四氟乙烯内衬的反应釜中,将预处理好的泡沫镍放入该反应釜中后,进行水热处理,冷却至室温20‑25℃,清洗、干燥后,在保护气氛下退火即成。本发明制备工艺简单,方便操作,可重复性高,在泡沫镍上原位生长的单原子钨掺杂的硫硒化镍薄膜包裹的硫硒化镍纳米棒分布均匀,具有较大的长径比,可直接用作电极,无需额外添加粘结剂和导电剂,具备极佳的能源催化应用前景。
搜索关键词: 生长 泡沫 表面 掺杂 硫硒化镍 薄膜 包裹 纳米 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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