[发明专利]一种用于抑制二次电子发射的碳基薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201910622005.0 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110396668A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 胡文波;易兴康;李洁;高步宇;李永东;吴胜利;林舒 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/58;C23C14/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于抑制二次电子发射的碳基薄膜及其制备方法，该薄膜由金属缓冲层和非晶碳层组成，金属缓冲层厚度为5‑50nm，非晶碳层厚度为30‑200nm，非晶碳膜层中碳颗粒尺寸为20‑100nm，金属缓冲层中的金属材料为钛、钼或钨。碳基薄膜的制备包括以下步骤：首先，在基底温度为400‑600℃条件下，采用溅射金属靶的方式在基底上沉积金属缓冲层；其次，在基底温度为300‑600℃条件下，采用溅射石墨靶的方式在金属缓冲层上沉积非晶碳膜层；最后，对非晶碳膜进行高温退火处理或(和)利用氩离子对非晶碳膜层表面进行溅射处理。采用该方法制备的碳基薄膜，可以提高非晶碳膜的sp2键含量及表面粗糙度，从而降低其二次电子发射系数。 | ||
| 搜索关键词： | 金属缓冲层 碳基薄膜 制备 非晶碳膜层 基底 溅射 二次电子发射 非晶碳层 非晶碳膜 电子发射系数 表面粗糙度 金属材料 沉积金属 高温退火 缓冲层 金属靶 石墨靶 碳颗粒 氩离子 沉积 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种用于抑制二次电子发射的碳基薄膜，其特征在于：包括在基底(1)表面由下至上依次设置的金属缓冲层(2)和非晶碳膜层(3)；所述的金属缓冲层(2)的厚度为5‑50nm；非晶碳层(3)的厚度为30‑200nm，碳颗粒的尺寸为20‑100nm，sp2键的含量不低于70％。
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