[发明专利]正面氮氧化硅太阳电池的制作工艺

摘要

本发明晶硅太阳能电池制造领域，尤其涉及一种正面氮氧化硅太阳电池的制作工艺，该方法包括晶硅表面制绒、扩散、去PSG和单晶抛光、正面沉积减反射膜、背面沉淀钝化膜、背面激光刻划接触区以及印刷烧结步骤，实现在正面均匀沉积的氮氧化硅薄膜层，有利于降低反射率提高转换效率，提高太阳光的利用率，增加太阳电池的闭路电流，达到提高效率的目的。

主权项

1.一种正面氮氧化硅太阳电池的制作工艺，用于太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤（1）晶硅表面制绒：将多个硅片的双面在碱液下进行表面绒面化，并在酸性条件下进行化学清洗，除去表面杂质；步骤（2）扩散：正面P扩散，使该硅片的正面形成n＋掺杂层；步骤（3）去PSG和单晶抛光：刻蚀工序清洗先去除该硅片表面残留的磷硅玻璃，之后进行单晶背面抛光；步骤（4）正面沉积减反射膜：正面单面依次沉积氮氧化硅和氮化硅叠层膜；步骤（5）背面沉淀钝化膜；步骤（6）背面激光刻划接触区：背面局部打开薄膜，进行背面激光图形设计；步骤（7）印刷烧结。