[发明专利]磁性存储装置在审
| 申请号： | 201910575165.4 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660906A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 葛雷维古帕塔亚;威廉·J·加拉格尔;吴志强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明一些实施例提供磁性存储装置。磁性存储装置包括底电极，与第一合成反铁磁层，其包括第一钉扎层与第二钉扎层位于底电极上。第一钉扎层与第二钉扎层具有相反的磁化方向且隔有第一间隔物层。磁性存储装置亦包括参考层，位于第一对钉扎层上；以及自由层，位于参考层上并与参考层隔有穿隧阻障层。磁性存储装置还包括第二合成反铁磁层，其包括第三钉扎层与第四钉扎层于自由层上，且第三钉扎层与第四钉扎层具有相反的磁化方向且隔有第二间隔物层。 | ||
| 搜索关键词： | 钉扎层 磁性存储装置 参考层 磁化方向 反铁磁层 间隔物层 底电极 自由层 合成 阻障层 穿隧 | ||
【主权项】：
1.一种磁性存储装置，包括：/n一底电极；/n一第一合成反铁磁层，包括一第一钉扎层与一第二钉扎层位于该底电极上，该第一钉扎层与该第二钉扎层具有相反的磁化方向且隔有一第一间隔物层，且该第二钉扎层比该第一钉扎层靠近该底电极；/n一参考层，位于该第一合成反铁磁层上；/n一自由层，位于该参考层上，并与该参考层隔有一穿隧阻障层；以及/n一第二合成反铁磁层，包括一第三钉扎层与一第四钉扎层于该自由层上，该第三钉扎层与该第四钉扎层具有相反的磁化方向且隔有一第二间隔物层，且该第三钉扎层比该第四钉扎层靠近该自由层。/n
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