[发明专利]MRAM底电极的制备方法在审
| 申请号： | 201910552445.3 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN112133820A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 王雷;刘鲁萍;陶煜 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MRAM底电极的制备方法，包括：提供一基底，所述基底依次包括金属互联层、第一阻挡层以及介电层，在所述第一阻挡层及介电层中形成有底部通孔，所述底部通孔与所述金属互联层相连，在所述基底表面依次覆盖有第二阻挡层和导电金属层，所述导电金属层充满所述底部通孔；对所述导电金属层进行化学机械抛光，去除所述介质层上方的导电金属层以及第二阻挡层；沉积底电极金属层，以填充满对所述导电金属层进行化学机械抛光后在所述底部通孔内形成的碟形凹陷；对所述底电极金属层进行化学机械抛光，以形成表面平整的底电极金属层；图案化所述表面平整的底电极金属层，得到MRAM底电极。本发明能够获得表面平整的MRAM底电极。 | ||
| 搜索关键词： | mram 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司，未经中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910552445.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高深宽比沟槽的薄膜填充方法
- 下一篇：一种高强度橡胶制品
