[发明专利]一种嵌入式双电子注太赫兹返波振荡器有效

专利信息
申请号: 201910546253.1 申请日: 2019-06-21
公开(公告)号: CN110416041B 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 刘文鑫;叶青青;郭鑫;赵超;张兆传 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: H01J25/40 分类号: H01J25/40;H01J23/16
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张宇园
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种嵌入式双电子注太赫兹返波振荡器,包括:一金属波导,一端为注入端,用于电子注输入,另一端为输出端,用于电子注输出;一电子枪双电子注阴极,设置于所述金属波导注入端,与所述金属波导内部空间构成注波互作用区;多个双半圆槽光栅结构,等距间隔排列于金属波导内;一漂移区,设置于所述金属波导注入端与该金属波导中间部位之间,用于将所述多个双半圆槽光栅结构分为第一段双半圆槽光栅结构和第二段双半圆槽光栅结构;输出端口,设置于所述金属波导注入端,用于注‑波互作用后的输出功率,双电子注收集极,设置于金属波导输出端,用来回收注‑波互作用后的电子注。
搜索关键词: 一种 嵌入式 电子 赫兹 振荡器
【主权项】:
1.一种嵌入式双电子注太赫兹返波振荡器,包括:一金属波导,一端为注入段,用于电子注输入,另一端为输出端,用于电子注输出;一电子枪双电子注阴极,设置于所述金属波导注入端,与所述金属波导内部空间构成注波互作用区;多个双半圆槽光栅结构,等距间隔排列于金属波导内,与所述电子枪双电子注阴极位于同一条直线,其中每个双半圆槽光栅结构包括两个半圆槽,所述两个半圆槽与所述电子枪双电子注阴极发射电子注方向垂直且位于电子注方向的延长线上,构成双电子注通道;一漂移区,设置于所述金属波导注入端与该金属波导中间部位之间,用于将所述多个双半圆槽光栅结构分为第一段双半圆槽光栅结构和第二段双半圆槽光栅结构;输出端口,设置于所述金属波导注入端,用于输出功率;双电子注收集极,设置于金属波导输出端,用于收集注‑波互作用后的电子注。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电子学研究所,未经中国科学院电子学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910546253.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种嵌入式双电子注太赫兹返波振荡器-201910546253.1
  • 刘文鑫;叶青青;郭鑫;赵超;张兆传 - 中国科学院电子学研究所
  • 2019-06-21 - 2020-11-20 - H01J25/40
  • 本发明提供一种嵌入式双电子注太赫兹返波振荡器,包括:一金属波导,一端为注入端,用于电子注输入,另一端为输出端,用于电子注输出;一电子枪双电子注阴极,设置于所述金属波导注入端,与所述金属波导内部空间构成注波互作用区;多个双半圆槽光栅结构,等距间隔排列于金属波导内;一漂移区,设置于所述金属波导注入端与该金属波导中间部位之间,用于将所述多个双半圆槽光栅结构分为第一段双半圆槽光栅结构和第二段双半圆槽光栅结构;输出端口,设置于所述金属波导注入端,用于注‑波互作用后的输出功率,双电子注收集极,设置于金属波导输出端,用来回收注‑波互作用后的电子注。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top