[发明专利]背照式全局快门像素在审
| 申请号： | 201910503528.3 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110600490A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | N·W·查普曼;S·伯萨库尔;M·A·苏弗里德格 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明题为“背照式全局快门像素”。本发明提供全局快门成像像素，所述全局快门成像像素可包括从相应的光电二极管接收电荷的电荷存储区。全局快门成像像素可形成为前照式成像像素或背照式成像像素。屏蔽电荷存储区以免受入射光的影响对于图像传感器性能可能是重要的。为了屏蔽背照式全局快门成像像素中的电荷存储区，可在所述电荷存储区上方包括屏蔽结构。所述屏蔽结构可包括背侧沟槽隔离结构、形成在背侧沟槽隔离结构之间的背侧沟槽中的金属层、以及前侧深沟槽隔离结构。所述金属层可具有朝向所述光电二极管反射光的成角度部分。 | ||
| 搜索关键词： | 成像像素 全局快门 电荷存储区 背侧沟槽 背照式 光电二极管 隔离结构 屏蔽结构 金属层 屏蔽 深沟槽隔离结构 图像传感器 电荷 反射光 入射光 像素 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：/n衬底，所述衬底具有前表面和背表面；/n第一光电二极管和第二光电二极管，所述第一光电二极管和所述第二光电二极管形成在所述衬底中；/n电荷存储区，所述电荷存储区形成在所述衬底中在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间；/n背侧深沟槽隔离，所述背侧深沟槽隔离具有在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间的第一部分和第二部分；/n沟槽，所述沟槽在背侧深沟槽隔离的所述第一部分与所述第二部分之间并且从所述背表面朝向所述前表面延伸；和/n不透明层，所述不透明层形成在所述沟槽中。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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