[发明专利]电沉积法制备氧化镍纳米片上负载镍-氧化钼量子点有效

专利信息
申请号: 201910492748.0 申请日: 2019-06-06
公开(公告)号: CN111118539B 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: 韩晓鹏;李肖鹏;胡文彬;邓意达;钟澄 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C25B11/091 分类号: C25B11/091;C25B1/04;C25D5/12;C25D3/12;C25D3/54;C25D5/54;B01J23/883
代理公司: 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 代理人: 王秀奎
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开电沉积法制备氧化镍纳米片上负载镍‑氧化钼量子点,将碳布表面活化得到预处理好的碳布;将表面活化的碳布作为工作电极,碳棒作为对电极,置于配好的镍盐电解质溶液中,用工作站恒压沉积,得到前驱体材料;将沉积好的前驱体材料置于配好的钼盐电解质溶液中,用工作站恒压沉积;沉积后用无水乙醇冲洗,烘箱内干燥得到氧化镍纳米片上负载镍‑氧化钼量子点。氧化镍纳米片上负载镍‑氧化钼量子点材料是由氧化镍、单质镍、氧化钼三种物相组成,量子点大小为2~20nm并在氧化镍纳米片上均匀分布,氧化镍纳米片在碳布上均匀分布。本发明的技术方案所需设备较简单、操作方便、条件可控、可重复性高,制备成本低,适合于工厂化大规模生产。
搜索关键词: 沉积 法制 氧化 纳米 负载 氧化钼 量子
【主权项】:
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