[发明专利]可变电阻随机存取存储器有效
| 申请号： | 201910463476.1 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110580927B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 服部规男 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可变电阻随机存取存储器，通过修复失效的存储单元来抑制性能衰退。本发明的可变电阻随机存取存储器包括存储器阵列、行选择电路、列选择电路、控制器、错误检查校正电路、错误比特旗标暂存器，以及错误比特地址暂存器。存储器阵列包括多个存储单元。列选择电路包括感测放大器以及写入驱动/读取偏压电路。错误比特旗标暂存器于写入操作存储存在/不存在的错误比特。错误比特地址暂存器存储错误比特的地址。当预定事件发生時，控制器修复错误比特。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种可变电阻随机存取存储器，包括：/n存储器阵列，包括多个存储单元；/n写入部，写入数据至基于地址信息而选择的存储单元；/n判定部，判定写入至所述选择的存储单元的所述数据为有效或失效；/n保存部，保存失效信息，所述失效信息包括判定为失效存储单元的地址；以及/n修复部，当预定事件发生时，基于所述失效信息而重写所述失效存储单元的数据。/n
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