[发明专利]量子点阵列电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910362277.1 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111863778B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王津洲;张汝京 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种量子点阵列电容器及其制备方法，所述电容器包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一导电层；位于所述第一导电层上的第一介电层；位于所述第一介电层上的第二导电层；位于所述第二导电层上的第二介电层；以及交替形成导电层和介电层以得到多层电容器结构；其中，所述电容器形成为多层金字塔型阵列。上述阵列电容器由于采用金字塔阵列结构，在同样的晶圆面积上产生更大的电容；并且可以重复形成导电层及介电层，从而可以进一步提高单位面积上的电容密度。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 阵列 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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